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此外，入自在绝缘基底上生长大面积高质量石墨烯是其电子器件和光电器件应用的理想选择，但由于缺乏金属催化，目前仍然具有挑战性。动化（d）石墨烯岛的2DFWHM拉曼图。

（b）由Al2O3(0001)-Cu(111)界面生长的石墨烯、生产Cu表面生长的石墨烯GFETs的光学图像。预计（g）界面处生长的和转移到SiO2/Si上的石墨烯的AFM图像。毛利这种在这种界面处生长石墨烯的新方法可以启发晶圆尺寸单晶双层石墨烯或其他单晶二维材料的生长研究。

率逾（d）2英寸单晶Cu(111)薄膜的光学显微照片。该工作突破了在绝缘基底上合成大面积单晶石墨烯的瓶颈，威投为下一代基于高质量石墨烯的纳米器件的研究和发展提供参考。

【小结】综上所述，入自通过碳原子从Cu(111)表面扩散到Cu(111)-Al2O3(0001)界面，生长合成石墨烯。

动化以第一作者和通讯作者身份发表论文在NatureMaterials,AdvancedMaterials,NanoLetters等。1.618年中大促：生产电商争夺战效率决定渠道生态随着线上渠道品牌结构的改变，对于家电品牌来说，各渠道的权重也在发生变化。

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